Тема: Математическое моделирование структуры полупроводниковых источников излучения. Объём текста: 100 страниц. Моделирование гетероструктуры с возможностью квантовой ямы, зеленый из InGaN, синий - InGaN, красный - AlInGaP. План на который можно опираться: 1. Подготовка литературного анализа(часть готова, добавлю в файлы) 2. Формулировка целей и задач исследования 3. Разработка математической модели и постановка вычислительного эксперимента 4. Проведение численного моделирования и анализ результатов 5. Оптимизация параметров структуры 6. Формулировка выводов и предложений.